SMM2348ES-T1-GE3-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:5.8A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:22mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有5.8A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。器件在中等电流水平下提供较低的导通损耗，适合用于对空间和效率有一定要求的电源管理电路。典型应用场景包括便携式设备的电源开关、电池保护电路以及低功率DC-DC转换器等，能够在确保电气性能的同时维持良好的热表现。
