STP24N60M2-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至165mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至@5V，具备良好的栅极可靠性与开关稳定性。基于碳化硅材料特性，该器件支持高频工作，具有优异的耐温性能和较低的开关损耗，适合应用于高密度电源系统、可再生能源逆变装置及高性能直流变换模块中，有助于提升系统整体能效与功率密度。
