IXTY2N65X2-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:4.2A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:1555mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为4.2A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为1555mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备较高的耐压能力和良好的高温工作特性，适用于中低功率的高频开关应用。其结构支持在高电压环境下稳定运行，同时保持较低的开关损耗，适合对体积和效率有一定要求的电源转换系统。
