STL16N65M5-HXY_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:14A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:315mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为14A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为315mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频开关特性和较低的导通损耗，在高效率电源转换、可再生能源系统及高频开关电源等应用中表现突出。其电气参数组合支持在紧凑型设计中实现良好的热性能与能效平衡。
