IMBG65R260M1HXTMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:13A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道结构，漏极电流ID为13A，漏源击穿电压VDSS达800V，导通电阻RDS(ON)为260mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和热管理要求较高的高频开关场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，适合在复杂电气环境中稳定运行。
