RJK0355DPA-01#J0B-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为50A，最大漏源电压为30V，在栅源电压20V驱动下导通电阻为6.5毫欧。器件在导通状态下具有较低的功率损耗，适用于对能效和热管理要求较高的电路设计。典型应用包括直流-直流转换器、电源开关模块以及需要高频操作和低导通压降的电子系统中。
