FDMS10C4D2N-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:3.6mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS），以及3.6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统效率，同时支持高电流密度工作。适用于高功率电源转换、电机驱动和高频开关等应用场合，能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气稳定性。
