FDP045N10A-F102-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:4.1mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.1毫欧。低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低功率损耗，提升整体能效。器件适用于需要高效开关性能和高电流承载能力的电路，如电源管理模块、电机控制单元及各类直流转换系统。其电气特性使其在频繁开关操作中仍能保持稳定可靠的性能表现。
