RJK5030DPD-03#J2-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:5A 参数2：VDSS:500V 参数3：RDON:1300mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备500V的漏源击穿电压（VDSS）、5A的连续漏极电流（ID）以及1300毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其电气特性适用于中等功率的开关应用，在较高电压环境下仍能维持稳定工作。典型应用场景包括开关电源、LED驱动电路、电机控制及各类通用电子设备中的功率开关环节，能够满足对电压耐受能力和基本导通性能的需求。
