NTMFS6B05NT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为6.4毫欧。其低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。器件适用于需要高电流处理能力与良好热稳定性的场合，如开关电源、电机控制、不间断电源及各类高密度功率转换模块，在高频或大负载条件下仍能维持可靠性能。
