BSC082N10LSGATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:7.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、7.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其较低的导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统效率。适用于对功率密度和热性能有较高要求的应用场景，如开关电源、电机驱动、电池管理系统及高效率功率转换装置，在高频或持续大电流工作条件下可保持稳定运行。
