IAUCN10S7L040ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:3.6mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS），以及低至3.6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其优异的导通特性可显著降低导通损耗，提升系统整体效率。适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、直流-直流转换及高电流开关应用，在高频或大电流工作条件下仍能保持稳定的电气性能。
