AUIRFB4410_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:8.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET额定漏极电流ID为70A，最大漏源电压VDSS为100V，导通电阻RDS(ON)为8.5毫欧，栅源电压VGS最大值为20V。其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。适用于高电流、中压场景下的电源管理、电机控制及高频开关电路等应用，能够有效支持对热性能和电气稳定性要求较高的电子系统设计。
