IAUCN10S7N040ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:3.6mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.6毫欧。其低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，有助于提升系统效率并减少散热需求。适用于高电流开关电源、电机控制、电池管理系统及各类需要高效能功率开关的电子装置，在频繁开关或持续大电流工作条件下仍能保持稳定性能。
