SI7460DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:65A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）额定漏极电流（ID）为65A，漏源电压（VDSS）为60V，导通电阻（RDS(ON)）为8毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。器件在中高电流条件下具备良好的导通特性与开关性能，适用于电源管理、电机控制、电池保护及各类高效能开关电路。其较低的导通电阻有助于降低功耗，提升系统热稳定性，同时兼容标准逻辑电平驱动，便于集成于多种电子系统中。
