IXTH64N65X-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:58mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻为58mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子应用。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时有助于提升系统可靠性。
