NVHL025N65S3-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:108A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:20mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为20mΩ，适用于高效率、高频率的功率开关应用。其栅源电压范围为-10V至@5V，具备良好的驱动兼容性与抗干扰能力。碳化硅材料的引入使器件在高温、高压及高频工作条件下仍能保持优异的电气性能和热稳定性，适合用于对体积紧凑性与能量转换效率要求较高的电源系统。
