NVH4L023N065M3S-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:108A 参数2：VDSS:750V 参数3：RDON:20mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压达750V，导通电阻仅为20mΩ，可在高电压、大电流条件下实现低损耗运行。栅源驱动电压范围为-10V至@5V，支持宽范围的驱动信号输入，增强系统设计灵活性。凭借碳化硅材料的物理优势，器件在高频开关应用中表现出优异的热稳定性和效率，适用于对功率密度和能效要求较高的电源转换与电力调节场合。
