FCH023N65S3L4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:108A 参数2：VDSS:750V 参数3：RDON:20mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET支持108A的连续漏极电流，漏源电压额定值为750V，导通电阻低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高电压、大电流条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，并具备良好的高温工作能力。适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源转换、可再生能源接入及高频电力电子系统。
