GC190N65FF_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:11A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有11A的连续漏极电流（ID）、800V的漏源击穿电压（VDSS）和165mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于对效率和体积有要求的电源转换系统、可再生能源接入设备以及高频电力电子装置，能够在有限空间内实现可靠的功率管理。
