SI7374DP-T1-E3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为80A，漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7毫欧，最大栅源电压（VGS）为20V。器件在高电流条件下仍能维持较低的导通损耗，适用于电源转换、电池管理系统、电动工具及各类高效率开关电路中，其低阻抗特性有助于提升系统能效并减少发热。
