IPP65R190CFD7XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至165mΩ，适用于高效率功率转换设计。器件栅源电压范围为-10V至@5V，支持稳定开关操作。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的耐压能力与开关速度，适用于高频率、高功率密度的电源系统，如高效能交直流转换装置、可再生能源逆变系统及高功率密度电源模块，能够在高温与高电压环境下保持可靠性能。
