FCH190N65F-F155-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A，漏源电压耐受能力达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高耐压特性，适用于高频电源转换、光伏逆变、储能系统及高效率开关电源等场景。其稳定的电气性能有助于在严苛工作条件下维持高效运行，并简化热管理设计。
