IPP60R299CPXKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:9A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:306mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有9A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为306mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与导通损耗，适用于对能效和热管理要求较高的电源转换系统。其电气参数适配多种拓扑结构，可有效提升整体系统性能与可靠性。
