MSJP14N65A-BP-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:9A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:306mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有9A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为306mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备快速开关特性与较低的导通损耗，在高频率电源转换、可再生能源系统及高效电能管理等应用中表现出良好的性能。其宽栅压范围有助于适配多种驱动电路，同时提升系统在复杂电气环境下的稳定性与可靠性。
