TQM075NH10CR_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的额定漏极电流（ID）为75A，最大漏源电压（VDSS）为100V，导通电阻（RDS(ON)）为6.4毫欧。凭借低导通电阻特性，器件在高电流条件下可有效降低导通损耗，提升能效。适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统及高功率电子设备等场景，能够满足对高电流承载能力和热稳定性的需求，在频繁开关或持续负载运行中保持可靠性能。
