BUK9510-100B-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:8.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在导通状态下呈现8.5毫欧的低导通电阻（RDS(ON)），栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。器件适用于高效率电源转换、电机驱动及各类开关应用，其低导通损耗有助于提升系统整体能效，同时支持大电流工作条件下的稳定运行。
