IPL65R310E6AUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:14A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:315mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有14A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为315mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中展现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、光伏逆变、服务器电源及类似对能效和功率密度有较高要求的应用场景。
