RJK03E1DNS-00#J5-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:40A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5mΩ。低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统能效，适用于高频率开关电源、便携式设备供电管理以及电机控制等应用场合。其电气特性支持快速开关动作，在紧凑布局中仍能维持良好的热稳定性和可靠性。
