FDMS86101A_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为6.4毫欧。其较低的导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。器件适用于中高功率的电源管理、电机控制及开关电源等应用场合，在兼顾电流承载能力与电压耐受性的基础上，能够支持较高频率的开关操作，满足对热稳定性和能效有要求的电子系统设计需求。
