STL12N65M5-HXY_DFN5X6-8L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:9A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:410mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的高频电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于各类高密度、高效率的电力电子应用中。
