C3D100065B_module-B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：module-B 类别：碳化硅二极管 最小包装：6/托盘 参数1：IF:100A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.3V 参数4：IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管额定持续正向电流为100A，反向重复峰值电压达650V，适用于中高压直流系统。其正向导通压降仅为1.3V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升能效。反向漏电流低至5μA，表现出优异的阻断性能和热稳定性。器件可承受750A的非重复浪涌电流，具备较强的瞬态耐受能力。基于碳化硅材料的高速开关特性，该二极管可有效减少开关损耗，适用于高频功率变换拓扑，如高效整流电路、大功率电源模块及高密度能量转换装置，支持系统向小型化与高效化发展。
