AOM015V65X2_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:189A 参数2：VDSS:750V 参数3：RDON:11mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备189A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为750V，导通电阻低至11mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温稳定性和高频开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与高耐压能力使其在高负载条件下仍能保持良好性能，适合用于各类高效电源系统及能量转换装置中。
