IMZA65R015M2HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:189A 参数2：VDSS:750V 参数3：RDON:11mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为189A，漏源击穿电压（VDSS）达750V，导通电阻（RDS(ON)）为11mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与快速开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。其宽电压驱动能力与高电流承载能力有助于在紧凑布局中实现稳定可靠的功率控制。
