UF3C065030K4S-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换场合。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时有助于提升系统在复杂电气环境下的稳定运行能力。
