SCT3030ALGC11-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下仍能保持优异的开关性能与导通效率，适用于对功率密度和能效要求较高的电力转换系统。其低RDS(on)有助于减少导通损耗，提升整体系统效率，同时宽VGS范围增强了驱动兼容性与可靠性。
