C3D150065B_module-B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：module-B 类别：碳化硅二极管 最小包装：6/托盘 参数1：IF:150A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.45V 参数4：IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管额定持续正向电流为150A，反向耐压达650V，适用于中高功率直流转换系统。其正向导通压降为1.45V，在保证低导通损耗的同时具备良好的热稳定性。反向漏电流低至5μA，展现出优异的阻断能力，有助于减少待机功耗。器件可承受高达750A的非重复浪涌电流，具备较强的瞬态过载承受力。得益于碳化硅材料的特性，该二极管具有快速开关响应和较低的反向恢复电荷，适用于高频整流电路、高效能电源模块及紧凑型能量转换装置，有利于提升系统效率并减小磁性元件体积。
