IXFP18N65X2_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道结构，具有20A的连续漏极电流（ID）和800V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ。栅源驱动电压范围为-10V至@5V，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其宽电压驱动能力增强了系统设计的灵活性，同时碳化硅材料特性有助于降低开关损耗与导通损耗，在对能效和热管理要求较高的电力电子应用中表现优异。
