SIHG21N65EF-GE3-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID为25A，漏源击穿电压VDSS达800V，导通电阻RDS(ON)为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和热性能要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，适合在高频开关条件下稳定运行，满足多种电源管理与能量转换系统的设计需求。
