IPP65R190CFD7AAKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源电压额定值（VDSS）与20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至165mΩ，有效降低导通损耗。栅源电压范围为-10V至@5V，支持可靠驱动与负压关断，提升抗噪性能。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作稳定性与快速开关响应能力，适用于高效率功率转换系统。典型应用包括高频开关电源、高压DC-DC变换器、光伏逆变单元及储能系统的功率级设计，适合对能效、散热和空间利用率有较高要求的场景。
