SIHH21N65EF-T1-GE3-HXY_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为25A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ。栅源电压工作范围为-8V至@0V，支持标准逻辑电平驱动并具备良好的抗误触发能力。器件利用碳化硅材料特性，在高电压、高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中的功率开关环节。
