STW20NM65N-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为25A，漏源击穿电压VDSS为800V，导通电阻RDS(ON)为165mΩ，栅源电压VGS范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压应用中展现出优异的开关性能和热稳定性。适用于对效率、体积和散热有较高要求的电源转换场合，如高频开关电源、光伏逆变系统及高功率密度电能变换模块，能够在严苛电气环境下保持可靠运行。
