STP16N65M5-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:9A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:306mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为9A，漏源击穿电压达650V，导通电阻典型值为306mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统整体能效，同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。
