IPL65R200CFD7AUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的漏极电流额定值和800V的漏源击穿电压，导通电阻为165mΩ。其栅源电压范围为-8V至@0V，支持较宽的驱动电平，有助于提升开关可靠性并降低误触发风险。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温工作能力，适用于高频电源转换、可再生能源系统以及高效率电力电子设备中的功率开关环节。
