STW24NM65N-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为800V，导通电阻典型值为165mΩ。其栅源电压范围为-8V至@0V，适用于对开关效率和热性能要求较高的电力电子系统。得益于碳化硅材料特性，器件在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗，适合用于高效率电源转换、可再生能源逆变器及各类中高压功率管理场景。
