SPP20N60CFDHKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至165mΩ，可有效降低开关与导通损耗。栅源电压范围为-10V至@5V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高频开关性能与高温工作稳定性，适用于高功率密度的电源转换设计。典型应用包括高效直流-直流变换器、高压功率因数校正电路及开关电源模块等电力电子场合，有助于提升系统整体能效与热管理表现。
