NTMT190N65S3H_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的漏极电流能力与800V的漏源耐压，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强和低导通损耗特性，在高电压、高频率的开关应用中可实现高效能量转换。适用于对效率、热管理和紧凑布局有明确需求的电源系统，能够在维持稳定性能的同时降低整体功率损耗。
