SPW20N60C3FKSA1-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高频开关性能和较低的导通损耗，适用于高效率电源、光伏逆变器、不间断电源及高频变换器等应用场合，在提升系统效率的同时有助于降低整体热设计负担。
