RJK0393DPA-00#J53-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:90A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备90A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为3.5毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其低导通电阻有助于在大电流应用中有效降低功率损耗，提升系统效率。器件适用于高频率开关电源、直流-直流转换器以及对热性能和空间布局有较高要求的电子设备中，能够在保持稳定工作的同时减少散热设计复杂度。
