IPL65R165CFDAUMA2-HXY_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料优势，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统中的功率变换模块以及对热性能和体积有严苛要求的电力电子应用。
